Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BTS282Z E3230

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Paket/Kılıf
TO-220-7
Seri / Aile Numarası
BTS282Z

BTS282Z E3230 Hakkında

BTS282Z E3230, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 49V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.5mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre sıcaklık sensing diyodu sayesinde termal koruma özelliği bulunur. TO-220-7 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Temperature Sensing Diode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-7
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package P-TO220-7-230
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 240µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok