Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BTS282Z E3180A

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
BTS282Z

BTS282Z E3180A Hakkında

BTS282Z E3180A, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 49V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-263-8 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 6.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 300W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Entegre sıcaklık sensörü dioduna ve geniş çalışma sıcaklığı aralığına (-40°C ile +175°C) sahiptir. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürme uygulamaları ve yük kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Temperature Sensing Diode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-7-180
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 240µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok