Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS247ZE3062AATA
BTS247ZE3062AATMA2 Hakkında
BTS247ZE3062AATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-5 (D²Pak) SMD paketinde sunulur ve 18mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. Sıcaklık sensörü diodunu entegre etmiştir. Motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında stabilitenin sağlanması gerektiğinde uygun bir seçimdir. 120W maksimum güç ölçütü ile ısıtma yönetimi gerektiren uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-5-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok