Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS247Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS247Z
BTS247Z E3062A Hakkında
BTS247Z E3062A, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-5 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +175°C arasında çalışmaya uygun olup 18mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtar modlu güç kaynakları ve yük yönetimi sistemlerinde tercih edilen bir MOSFET çözümüdür. Entegre sıcaklık sensörü diyotu sayesinde termal izleme özellikleri vardır. Maksimum 120W güç dissipasyonu kapasitesiyle kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-5-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok