Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS244ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS244ZE3062
BTS244ZE3062AATMA2 Hakkında
BTS244ZE3062AATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-5 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 13mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. Entegre Temperature Sensing Diode özelliği ile sıcaklık izleme yapabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç dağıtım sistemleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-5-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok