Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS244ZE3062AATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS244ZE
BTS244ZE3062AATMA1 Hakkında
BTS244ZE3062AATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devrelerinde işletilmektedir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında 170W maksimum güç dağılımı gerçekleştirebilir. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. (Ürün Obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-5-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok