Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS244Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS244Z
BTS244Z E3062A Hakkında
BTS244Z E3062A, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-5 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, sıcaklık algılama diyodu entegrasyonu ile öne çıkmaktadır. Rds(on) değeri 13mΩ (10V, 19A'de) olup, anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate charge karakteristiği (130nC @ 10V) ve input kapasitesi (2660pF @ 25V) hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Maksimum 170W güç dissipasyonu yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-5-62 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok