Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BTS113AE3045ANTMA1

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
BTS113AE

BTS113AE3045ANTMA1 Hakkında

BTS113AE3045ANTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-220AB paketinde sunulmaktadır. 4.5V sürüş geriliminde 170mΩ maksimum on-state direnci (RDS(ON)) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında, 40W maksimum güç kaybına kadar çalışabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi devreleri, solenoid sürücüleri ve indüktif yükler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Düşük kapı kapasitansi (560pF @ 25V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşenin stok durumu eski (Obsolete) olsa da, endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında kalite referans gözetilerek kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok