Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS110NKSA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS110NKSA1
BTS110NKSA1 Hakkında
BTS110NKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında ve sürücü devrelerinde kullanılır. 5A ve 10V koşullarında 200mOhm maksimum drain-source direnci (Rds On) ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer almaktadır. Kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) maksimum 3.5V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok