Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ900N15NS3G
BSZ900N15NS3GATMA1 Hakkında
BSZ900N15NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 90mOhm (10A, 10V koşullarında) düşük on-resistance değeri, anahtarlama kayıplarını minimize eder. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, şu alanlarda uygulanır: DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, elektrik soketleri ve enerji yönetim sistemleri. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, 7nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlamaya elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok