Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ440N10NS3
BSZ440N10NS3GATMA1 Hakkında
BSZ440N10NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 44mΩ (10V, 12A) on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface Mount 8-PowerTDFN (PG-TSDSON-8) paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 9.1nC gate yükü ile hızlı anahtarlama işletimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok