Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ42DN25NS3
BSZ42DN25NS3GATMA1 Hakkında
BSZ42DN25NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 33.8W maksimum güç dağıtma özelliği ve 425mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama devreleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. Surface mount 8-pin TSDSON paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ile uyumlu sürücü devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 425mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok