Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ340N08NS3GA

BSZ340N08NS3GATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ340N08NS3GATMA1, 80V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 6A (Ta) / 23A (Tc) sürekli akım sağlayabilir. 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu komponen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.1W (Ta) / 32W (Tc) güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 12µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok