Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ240N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ240N12NS3
BSZ240N12NS3GATMA1 Hakkında
BSZ240N12NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltaj kapasitesi ve 37A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-state direnci sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 27nC gate charge ve 1900pF input kapasitansı hızlı anahtarlama özellikleri gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve ağır yük anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok