Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ180P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ180P03NS3
BSZ180P03NS3EGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ180P03NS3EGATMA1, P-Channel MOSFET türü transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli akım (Ta) / 39.5A sürü akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 18mOhm RDS(on) değeri ve düşük gate charge (30nC @ 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok