Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ16DN25NS3
BSZ16DN25NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ16DN25NS3GATMA1, 250V drain-source gerilimi ve 10.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 165mOhm RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. 62.5W güç tüketim kapasitesi, ±20V gate gerilim toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılabilir. 11.4nC gate charge ve 920pF input kapasitans değerleri, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok