Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1 Hakkında
BSZ165N04NSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim ve 8.9A (Ta) / 31A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 16.5mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 2.1W (Ta) / 25W (Tc) güç dağıtabilir. 4V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok