Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ160N10NS3
BSZ160N10NS3GATMA1 Hakkında
BSZ160N10NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 8A sürekli akım ve 63°C'de 40A akım kapasitesine sahiptir. 16mOhm maksimum On-Direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 25nC'dir. Güç yönetimi, DC-DC konverterleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok