Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ150N10LS3
BSZ150N10LS3GATMA1 Hakkında
BSZ150N10LS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN paket tipinde surface mount uygulamaları için uygundur. 15mΩ (10V, 20A koşullarında) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 35nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İlgili alanlarda DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri, yüksek akım anahtarlama uygulamaları ve güç yönetim devreleri için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok