Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ130N03LS
BSZ130N03LSGATMA1 Hakkında
BSZ130N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 10A, junction sıcaklığında 35A sürekli drenaj akımı sağlar. 13mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sunar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, anahtarlama uygulamaları ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 25W'a kadar ısıl yayılım kapasitesi sunmaktadır. 2.2V gate-source eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok