Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ123N08NS3G
BSZ123N08NS3GATMA1 Hakkında
BSZ123N08NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj değeri ve 10A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 12.3mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 8-PowerVDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazandırır. 25nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Active durum parçası olarak tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok