Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ120P03NS3
BSZ120P03NS3GATMA1 Hakkında
BSZ120P03NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket içerisinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 45nC gate charge ve 3360pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama ve verimli sürülmeyi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3360 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok