Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ110N08NS5
BSZ110N08NS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ110N08NS5ATMA1, 80V drain-source gerilim kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 40A sürekli drenaj akımı ve 11mΩ maksimum on-state direnci ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN surface mount paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 1300pF input kapasitesi ve 18.5nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, LED sürücüleri ve güç amplifikatör devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok