Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ110N06NS3
BSZ110N06NS3GATMA1 Hakkında
BSZ110N06NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar ve maksimum 50W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok