Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ105N04NSG
BSZ105N04NSGATMA1 Hakkında
BSZ105N04NSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Vdss derecelemesi ile düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 40A drenaj akımı (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 10.5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı kapanma ve açılma süreleri ile yüksek frekans uygulamalarında verim sağlar. Bileşen şu anda Obsolete (kullanım dışı) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok