Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ100N06NSATMA1
BSZ100N06NSATMA1 Hakkında
BSZ100N06NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 40A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) düşük ısıl kayıplar sağlar. Surface mount TSDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yerini alır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışabilir. Maksimum 36W güç dağıtımı kapasitesi (Tc'de) ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok