Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ100N06LS3
BSZ100N06LS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1, 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel power MOSFET transistörüdür. 10mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-pin PowerVDFN paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri (45nC) sayesinde verimli güç uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok