Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ100N03MSG
BSZ100N03MSGATMA1 Hakkında
BSZ100N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj ile 10A sürekli akım (Ta) ve 40A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (9.1mΩ @ 20A, 10V) ile verimli güç dağılımı sağlar. Gate eşik voltajı 2V olup, ±20V maksimum gate voltajında çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunmaktadır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount kurulumu için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok