Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ100N03LS
BSZ100N03LSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ100N03LSGATMA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 12A sürekli (Ta) ve 40A (Tc) akım yönetim kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN SMD pakajında sunulan bu bileşen, 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 4.5V ve 10V drive voltaj seçenekleri ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Gate charge 17nC, input capacitance 1500pF (15V'de) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişli olan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok