Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ099N06LS5
BSZ099N06LS5ATMA1 Hakkında
BSZ099N06LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 46A sürekli dren akımı ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.9mΩ on-resistance değeri ile güç kaybı minimize edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount TSDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama regülatör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 3.1nC gate charge ve düşük giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok