Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ097N10NS5
BSZ097N10NS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ097N10NS5ATMA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel power MOSFET'tir. 8A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 40A peak kapasitesine sahiptir. 9.7 mOhm (10V, 20A) düşük on-resistance değeri sayesinde enerji verimli tasarımlarda kullanılır. 28 nC gate charge ile hızlı switching işlemi gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. TSDSON-8 yüzeye monte paket ile kompakt PCB uygulamalarına uygun. Power conversion, motor sürücüleri, LED kontrol ve industrial elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok