Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ097N04LS
BSZ097N04LSGATMA1 Hakkında
BSZ097N04LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 12A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılır. 9.7mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde gelen bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 24nC ve 1900pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliği taşır. Anahtarlama devreleri, buck konvertörleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok