Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ096N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1 Hakkında

BSZ096N10LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel Power MOSFET transistördür. 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, AC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.6mOhm üstün Ron değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 69W maksimum güç dağılımı ile yüksek integrasyon yoğunluğu gerektiren endüstriyel ve otomotiv sistemlerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok