Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0911LS
BSZ0911LSATMA1 Hakkında
BSZ0911LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 12A sürekli akım kapasitesine ve 40A pik akım kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 10V Vgs'de 7mOhm olup, düşük açık direnci sayesinde güç uygulamalarında ısıl kayıpları minimize eder. 8-pin PowerTDFN paket formatında sunulan BSZ0911LSATMA1, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ışık dimmer uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek frekans anahtarlamaya uygun düşük gate charge (10nC @ 10V) karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok