Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0909LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0909L
BSZ0909LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSZ0909LSATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok