Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0905PNSATMA1
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0905PN
BSZ0905PNSATMA1 Hakkında
BSZ0905PNSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 8.6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 69W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC konverterleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Yüksek kapı yükü (43.2nC) ve düşük giriş kapasitansı (3190pF) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3190 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 105µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok