Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0904NSI
BSZ0904NSIATMA1 Hakkında
BSZ0904NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 40A (Tc) sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4mOhm (10V, 30A) düşük on-direnci sayesinde enerji verimliliği sağlar. Entegre Schottky diyotlu yapı, hızlı anahtarlama ve düşük kapasite değerleri ile PWM denetleyiciler, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. 8-pin PowerTDFN SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1463 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok