Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0902NSIA
BSZ0902NSIATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ0902NSIATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 21A (Ta) veya 40A (Tc) kapasitesiyle, düşük 2.8mOhm on-state direnci (@30A, 10V) sayesinde düşük güç kaybı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj (±20V Vgs) ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Hızlı anahtarlama için optimize edilmiş 24nC gate charge ve 1500pF giriş kapasitansı ile güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücü ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt devre tasarımları mümkün kılınır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok