Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0902NSA
BSZ0902NSATMA1 Hakkında
BSZ0902NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 19A (Ta)/40A (Tc) sürekli drain akımı özelliklerine sahiptir. 2.6mΩ (10V, 20A) maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-PowerTDFN (PG-TSDSON-8-FL) paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok