Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0901NSIAT
BSZ0901NSIATMA1 Hakkında
BSZ0901NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecelendirmesine ve 25A (Ta) / 40A (Tc) devamlı drenaj akımına sahiptir. 2.1mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve gövde Schottky diyodu özelliğine sahiptir. 8-PowerTDFN (PG-TSDSON-8-FL) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum kapı gerilimi ±20V, kapı şarjı 41nC@10V ve giriş kapasitesi 2600pF@15V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok