Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ088N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ088N03MSG
BSZ088N03MSGATMA1 Hakkında
BSZ088N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ile güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 8mΩ maksimum Rds(on) değeri ve düşük gate charge (27nC) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ancak bu ürün yeni tasarımlar için kullanım dışı bırakılmıştır; güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok