Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ086P03NS3
BSZ086P03NS3EGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim, 13.5A sürekli drain akımı (Ta) ve 40A maksimum drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 8.6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 57.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±25V maksimum gate-source gerilimi ve 2.1W (Ta) / 69W (Tc) güç disipasyonu ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında geniş kullanım alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok