Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1 Hakkında

BSZ084N08NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ve 40A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.4mOhm (10V, 20A şartlarında) düşük gate-source direnci sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 63W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Endüstriyel invertörler, şarj cihazları, DC-DC konvertörleri ve solar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 31µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok