Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0804LS
BSZ0804LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ0804LSATMA1, 100V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 11A sürekli akım kapasitesine (Ta 25°C) ve 40A tepe akımı (Tc) özelliğine sahiptir. 9.6mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 8-PowerTDFN paket yapısıyla yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun montaj sağlar. Gate charge 15nC ve threshold voltajı 2.3V karakteristikleriyle hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok