Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0803LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0803LS
BSZ0803LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ0803LSATMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj dayanımı ile 9A sürekli ve 40A pik drain akımı kapasitesine sahiptir. 14.6mOhm maksimum on-direnç değeri düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 52W (Tc) maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özelliği ile 15nC gate charge değeri düşük kontrol gücü gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok