Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ0703LSATMA1

MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ0703L

BSZ0703LSATMA1 Hakkında

BSZ0703LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 6.5mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount TSDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, AC/DC konverterler, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge değeri ile verimli tasarımlar mümkün kılıyor.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-26
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok