Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0702L
BSZ0702LSATMA1 Hakkında
BSZ0702LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve sürekli 40A (Tc) akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük sıcaklıkta enerji kaybını minimize eder. PowerTDFN-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 69W'a kadar güç ısıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok