Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ067N06LS3
BSZ067N06LS3GATMA1 Hakkında
BSZ067N06LS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 14A, case sıcaklığında 20A sürekli drain akımı sağlar. 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. ±20V maksimum gate voltajı ve 2.2V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. 8-pin PowerVDFN paketi ile yüksek ısı dağılımı imkanı sağlayan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok