Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ065N03LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ065N03LS

BSZ065N03LSATMA1 Hakkında

BSZ065N03LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı (25°C ambient) ile tasarlanmıştır. Maksimum 40A akım taşıyabilen bu bileşen, 6.5mΩ on-direnç değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TSDSON-8 yüzey monte paket içerisinde sunulan BSZ065N03LSATMA1, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama regülatörleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş ortam koşullarında kullanılmasına imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok