Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LSATMA1 Hakkında
BSZ060NE2LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajı ve 12A sürekli akım (Ta) / 40A (Tc) kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), yüksek hızlı anahtarlamayı destekleyen düşük gate charge (9.1nC @ 10V) ve kompakt 8-PowerTDFN paket tasarımı ile motor denetim, DC/DC konverterler ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok